Phase change memory (PCM) nedir ?
FAZ DEĞİŞİMLİ BELLEK NEDİR ?
Geçtiğimiz ay IBM’in yeni bir veri depolama tekniği geliştirdiği haberi tüm teknoloji sitelerinde yayınlanmıştı. Habere göre IBM Phase change memory adında bir depolama tekniği geliştirdi ve bu yeni depolama tekniği flash ve RAM den daha hızlı.
Burada bir düzeltmeye ihtiyaç var çünkü Phase change memory tekniği IBM tarafından değil 1960 yılında Stanford R. Ovshinsky tarafından kalkojenit gözlüğün özelliklerinin araştırılmasıyla ortaya çıktı . Bu araştırmaların devamında Charles Sie 1969 yılında bir tez yayınladı ve faz değişimli bellek teknolojisini dünyaya duyurdu . Charles Sie’ in tezinden sonra Iowa State Üniversitesi 1970 yılında sinematografik çalışmalarla kalkojenit cam’ın faz değişimini ve bellek mekanizmasında kullanılabilmesi için elektrik alan etkileriyle kristal değişimini duyurdu.
Bildiğimiz compact disklerin ana yapısını oluşturan faz değişimi teknolojisi yıllardır araçlarımızda ve bilgisayarlarmızda kullandığımız cd lerin ta kendileridir. Tabi yıllar önce kalkojenit cam üzerinde yapılan bu çalışmalar giderek derinleşti ve bir cd ye 70 gb hatta 1 Tb a kadar veri yüklenebilir hale getirildi. Geçen ay haber yapılan IBM teknolojisi ise daha önce kalkojenitten yapılan faz değişiminin geliştirilerek daha kullanışlı hale getirilmesidir.
1960 yılında araştırmalar yapan Stanford R. Ovshinsky kalkojenit cam’ın elektrik enerjisine maruz kaldığında faz değişimine uğradığını farketti , faz değişimi demek bir maddenin katı halden sıvı veya gaz haline geçmesidir. Stanford R. Ovshinsky bu bilgiye ulaştıktan sonra Charles Sie elde edilen bu sonuçların veri depolamak için kullanılabileceği fikrini ortaya attı ve bir tez hazırladı . Bu noktaya kadar kişisel olarak sürdürülen çalışmalar Iowa State Üniversitesi tarafından daha ciddi ele alındı ve kalkojenit camın faz değişimi sinematografik olarak çıkarıldı . Bilim adamlarının elde ettiği sonuçlar özetle camın elektrik enerjisi ile faz değişimine uğradığını ve bu değişimin bir depolama alanı olarak kullanılabileceği idi.
Kalkojenit camın bu özellikleri ilk olarak cd lerin doğmasını sağladı. Kalkojenit cam elementlerinden oluşan bir kaplama plastikle birleştirildi, elde edilen cd lere manyetik enerji ile yönlendirilmiş , kalkojenit tabakanın faz değişimine uğramasına sebep olacak bir lazer ışını gönderildi. Lazer ışını o kadar etkiliydi ki tıpkı elektrik enerjisi gibi kalkojenit yapıyı zedelemeye yetti. Lazer kalkojenit yapıda faz değişimi yarattı , değişim yaşanan yer 0 sağlam kalan yer 1 kabul edildi.
Peki IBM ne yaptı da haber oldu ?
IBM yıllardır cd ve bluray diskler halinde kullanılan , yani ışıkla yakılarak faz değişimi sağlatılan bu yapıyı amorf yapıdan kristal yapıya çevirdi. Yani ışıkla değil de elektrik enerjisi ile faz değişimi sağlamayı hedefleyen IBM bu sayede daha ucuz bir depolama alanı elde edebilecek. Şu an kullanılan yarı iletken maddeler (silisyum ve germanyum)’a göre daha hızlı veri yazılabilecek olan kalkojenit yapıda elementlerin daha hızlı ve daha kullanışlı belleklerin üretilmesinde kullanılması bekleniyor.
Muhammet TOSUN
