Transistör’de devrim

Suudi Arabistan Kral Abdullah Üniversitesi (KAUST) Bilim ve Teknoloji araştırmacıları nanotüp tünel ile yeni bir alan etkili transistör geliştirdiler.TFETs olarak adlandırılan bu yeni nesil transistörün diğerlerinden farkı daha yüksek sürücü akımı,daha az güç tüketimi,daha küçük boyut ve diğer transistörlere göre daha hızlı kapanıp açılma özelliği.Yeni oluşturulan TFETs transistör ultra yüksek performansın beklendiği ultra beklemenin yaşanacağı mantıksal devrelerde kullanılabilir.

Geleneksel Cmos transistörlerin açma kapama sürelerinin uzun olduğunu aynı zamanda sızıntı akımlarının yüksek olduğunu belirten bilim adamları TFETs in sadece silisyumdan yapılmış olan transistörlere göre daha az güç tüketerek daha yüksek tünel akımlarına müsade ettiğini aynı zamanda sızıntı akımının minimum olduğunu belirtti.

KAUST Entegre Nanoteknoloji Laboratuarı araştırma ekibi lideri Muhammed Hussain daha az güç harcayarak daha yüksek güçleri daha hızlı yönetebilmek için nanotüplere dayalı bir sistem geliştirdik dedi.

İndiyum arsenitten yapılmış olan nanotüp , 100 nm silikon çekirdek kapısının yaptığı işi 10 nm de yapabiliyor.Böylece yeni GAA NW TFET transistör beş kat daha fazla çıkış tünel akımına sahip.

İlk olarak 2011 yılında başlayan çalışmaların 4 yıl sonra elde edilir sonuçlar verdiğini belirten araştırmacılar nanotüpler teknolojisi ile en fazla 15 nm boyutlara inebiliriz.Rakamsal olarak 10 nm inmek mevcut dedi.