10 TB SSD BELLEK KULLANMAK İSTEMEZ MİSİNİZ ?

Son 15 yılda nand flash bellek teknolojisi hızla ilerledi ve 120 nm den 19 nm ye kadar indi.Yaşanan bu büyük gelişme bellek kapasitelerini tam 100 kat arttırdı. 1/10Th ile 100 kat daha fazla kapasite sunabilen V-NAND Flash bellek dikey hücre yığınlarından oluşan yarı iletken malzeme olarak geleceğin bellek yapısını teşkil etti.Samsungun son geliştirdiği 3D V-Nand teknolojisi ise veri yığınını sadece yığın olmaktan çıkarıp 3 boyutlu bir hale getirerek ssd belleklerde zamanın en yüksek performansın ve kapasitenin yakalanmasını sağladı.

Bu teknoloji ile veri hücrelerinin birbirlerine olan uzaklıklarını 20 nm e kadar düşüren samsung veri akışında oluşan parazitleri önlemiş durumda.Aynı zaman da desenlendirme teknolojisi kullanan samsung Patterning yoğunluğunu arttırmak için fotolitografi kullanarak geniş geometri imkanları sunmuştur.Geometri imkanı şimdilik sadece 10nm ile sınırlıdır.2014 Haziran ayında fotolitografik desenleme ile veri istiflemeyi 24 tabakadan 32 tabakaya çıkarmayı başaran samsungun bu gelişmesi katı belleklerin kapasitelerini %100 den de yukarı çekmeyi mümkün kılıyor.

Peki bu ne demek oluyor ?

Bu , şu anda kullandığımız 1 Tb SSD disklerimizin çok kısa bir süre sonra aynı boyutlarda ama 10 Tb olabileceği anlamına geliyor.Hatta sabit disk veri yolu hızınıda yeterli bulmayan bilgisayar dünyası OCZ bellekleri SSD hale getirip pcı expres veri yolundan bağlayarak veri trafiğini maximuma çekmeye başladı.Bellek büyütme mücadelesinde İntel de samsun ile yarış halinde. Çalışmalarını hızlandıran intel ekibi de geçtiğimiz günlerde 32 katmanlı 3d v-nand bellek teknolojisi ile 10 tb bellek üretimi için çalıştıklarının sinyalini verdi.

 

SAMSUNG 3D V-NAND TEKNOLOJİSİ :

Kaynak  – samsung
Çeviri – YerelBT