Kapat
Reklam Alanı
Reklam Alanı
Bilim 57 0

Uzayda FinFet yerine Gate All Around Transistör kullanılacak

UZAYDA GAA FET KULLANILACAK

Uzay araştırmalarında yaşanılan zorluklardan biri hiç şüphesiz aşırı radyasyon. Dünya’nın iklim şartlarında üretilen cihazların uzayın yıpratıcı koşullarında kısa ömürlü olması astronomik çalışmaların önünde en büyük engel. Günümüzün teknolojisi kullanılarak üretilen malzemelerden elde edilen uzay araçları en yakın yıldız sistemi Alpha Centauri‘ye 18000 yılda ulaşabiliyor. Bunun sebebi teknik aksaklıklar ve radyasyon etkisi. Bu etkiyi en aza indirmek için NASA ve KAIST bilim adamları tarafından kendi kendini yenileyen chip üretildi.

Uzay araçlarının tasarımlarında kullanılan elektronik devlerde daha önce FinFet transistör kullanılıyordu. Yapılan bilimsel çalışmayla (FinFET)  yerine , “her tarafı kapılı-gate all around” nano tel transistör(GAA FET) kullanılmaya başlandı. Yeni üretilen bu transistörün kapıları nanotellerle sarılarak, kapıya doğru gelen elektron akışı engelleniyor. Dual kontakt pedleri sayesinde kapı ve onu saran kanala akımın girmesine izin veriliyor. Sıcaklığı 10 nanosaniyede 900 ° C’in üzerine çıkabilen transistör uzayın olumsuz şartlarında dahi sorunsuz çalışabiliyor.Kendini onarma testleri Flash hafıza 10,000 kez, DRAM ise 10 üzeri 12 kez başarılı olarak tamamlandı.